UMZ8NTR

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

120

Frequency Transition

180MHz 260MHz

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Max Power Dissipation

150mW

Currentcollector Ic Max

150mA 500mA

HTS Kodu

8541.21.00.75

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 12V

Parça Durumu

Not For New Designs

Transition Frequency

180MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Transistor Type

NPN, PNP

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2008

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V / 270 @ 10mA 2V

Max Collector Current

500mA

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

JESD-609 Kodu

e2

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

6

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Gain Bandwidth Product

260MHz

Radyasyon Dayanımı

No

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Polarity

NPN, PNP

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10