Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 10mA, 200mA
- Polarity
- NPN, PNP
- Number Of Elements
- 2
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Terminal Formu
- GULL WING
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 270 @ 10mA 2V
- Max Collector Current
- 500mA
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 6
- Continuous Collector Current
- 500mA
- JESD-609 Kodu
- e2
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 6
- Collector Base Voltage Vcbo
- 15V
- Gain Bandwidth Product
- 260MHz
- Yayın Yılı
- 2012
- Temel Parça No
- *MZ7
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Max Breakdown Voltage
- 12V
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Akım Değeri
- 500mA
- Transistor Element Material
- SILICON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Element Configuration
- Dual
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Kaplaması
- TIN COPPER
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Frequency Transition
- 320MHz 260MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -100mV
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

