UMZ1NTR

Teknik Özellikler

Hfemin

120

Frequency Transition

180MHz 140MHz

Tip

General Purpose

HTS Kodu

8541.21.00.75

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Transition Frequency

180MHz

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Akım Değeri

150mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

2000

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Power Dissipation

150mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Yükseklik

900μm

Terminal Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e2

Montaj

Surface Mount

Genişlik

1.25mm

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Radyasyon Dayanımı

No

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

150mW

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

NPN, PNP

Max Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Temel Parça No

*MZ1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj Tipi

Surface Mount

Element Configuration

Dual

Pin Sayısı

6

Vcesatmax

0.4 V