Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Sayısı
- 6
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 6V
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Terminal Formu
- GULL WING
- Number Of Elements
- 2
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Polarity
- NPN, PNP
- Parça Durumu
- Active
- Transition Frequency
- 180MHz
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Currentcollector Ic Max
- 150mA
- Frequency Transition
- 180MHz 140MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Yayın Yılı
- 2016
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 150mW
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Yüzey Montaj
- YES
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

