UMH10NTN

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

150mW

Terminal Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2011

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Max Collector Current

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Power Dissipation

150mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e2

Continuous Collector Current

100mA

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

2.2k Ω

Akım Değeri

100mA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21

Voltage Rated Dc

50V

Transition Frequency

250MHz

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Hfemin

80

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Max Output Current

100mA

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Supply Voltage

50V

Element Configuration

Dual

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

*MH10

Transistor Application

SWITCHING

HTS Kodu

8541.21.00.75