UMD6NTR

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Power Dissipation

150mW

Yayın Yılı

2004

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Max Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

150mW

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Kurşunsuz Kodu

yes

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e2

Resistor Base R1

4.7k Ω

Pin Sayısı

6

Akım Değeri

100mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Parça Durumu

Active

Transition Frequency

250MHz

Hfemin

100

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Surface Mount

Max Output Current

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Supply Voltage

50V

Vcesatmax

0.3 V

Element Configuration

Dual

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

*MD6

Transistor Application

SWITCHING

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Terminal

SMD/SMT

HTS Kodu

8541.21.00.75

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C