UMB4NTN

Teknik Özellikler

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

DIGITAL

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Hfemin

100

Power Dissipation

150mW

Resistor Base R1

10k Ω

Voltage Rated Dc

-50V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Akım Değeri

-100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Terminal Sayısı

6

Kurşunsuz

Lead Free

HTS Kodu

8541.21.00.75

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vcesatmax

0.3 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Breakdown Voltage

50V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Number Of Elements

2

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Polarity

PNP

Terminal Formu

GULL WING

Frequency Transition

250MHz

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2001

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Max Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

150mW

Continuous Collector Current

-100mA

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)