UMB1NTN

Teknik Özellikler

Hfemin

56

Power Dissipation

150mW

Resistor Base R1

22k Ω

Voltage Rated Dc

-50V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Akım Değeri

-100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 5mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Kurşunsuz

Lead Free

HTS Kodu

8541.21.00.75

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vcesatmax

0.3 V

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Formu

GULL WING

Polarity

PNP

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Max Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

150mW

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2001

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Transition Frequency

250MHz

JESD-609 Kodu

e2