UMB10NFHATN

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21

Power Max

150mW

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Currentcollector Ic Max

100mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Terminal Sayısı

6

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Polaritychannel Type

PNP

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

2

Reach Svhc

Unknown

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Frequency Transition

250MHz

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2016

Collectoremitter Breakdown Voltage

-50V

Yüzey Montaj

YES

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Type

2 PNP Pre-Biased (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Transition Frequency

250MHz

Pin Sayısı

6

Seri

Automotive, AEC-Q101