TT8J21TR

Teknik Özellikler

Power Dissipation

1.25W

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Turn On Delay Time

9 ns

Yayın Yılı

2009

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Feature

Logic Level Gate

Direnç

280MOhm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

30 ns

Continuous Drain Current Id

2.5A

Number Of Elements

2

Input Capacitance Ciss Max Vds

1270pF @ 10V

Pulsed Drain Currentmax Idm

10A

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Contact Plating

Copper, Tin

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

30ns

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

8

Temel Parça No

*J21

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Gate Charge Qg Max Vgs

12nC @ 4.5V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Pin Sayısı

8

Max Power Dissipation

650mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)