SP8M9TB

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drainsource On Resistancemax

0.025Ohm

Rise Time

30ns

Pin Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

36A

Input Capacitance Ciss Max Vds

1190pF @ 10V

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

5A

Number Of Elements

2

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Qualification Status

Not Qualified

Current Continuous Drain Id25

9A 5A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Fet Feature

Logic Level Gate

Drain Currentmax Abs Id

9A

Yayın Yılı

2004

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Akım Değeri

9A

Kurşunsuz

Lead Free

Rds On Max Id Vgs

18m Ω @ 9A, 10V

Parça Durumu

Obsolete

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Max Power Dissipation

2W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e2

Gate Charge Qg Max Vgs

21nC @ 5V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Pin Sayısı

8

Terminal Sayısı

8