SP8M3TB

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Terminal Pozisyonu

DUAL

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Current Continuous Drain Id25

5A 4.5A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Fet Feature

Logic Level Gate

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yayın Yılı

2004

Drain Currentmax Abs Id

5A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

25ns

Pin Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Input Capacitance Ciss Max Vds

230pF @ 10V

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

4.5A

Number Of Elements

2

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Gate Charge Qg Max Vgs

3.9nC @ 5V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

8

Terminal Sayısı

8

Temel Parça No

*M3

Terminal Formu

GULL WING

Fet Type

N and P-Channel

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Akım Değeri

5A

Rds On Max Id Vgs

51m Ω @ 5A, 10V

Parça Durumu

Active