SP8K1TB

Teknik Özellikler

Turn On Delay Time

6 ns

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Drain Currentmax Abs Id

5A

Yayın Yılı

2004

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Feature

Logic Level Gate

Power Dissipation

2W

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Fall Time Typ

5 ns

Continuous Drain Current Id

5A

Number Of Elements

2

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Input Capacitance Ciss Max Vds

230pF @ 10V

Pin Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

8ns

Voltage Rated Dc

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Formu

GULL WING

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Terminal Sayısı

8

Temel Parça No

*K1

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

5.5nC @ 5V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

JESD-609 Kodu

e2

Max Power Dissipation

2W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)