SP8J4TB

Teknik Özellikler

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Qualification Status

Not Qualified

Drain Currentmax Abs Id

2A

Yayın Yılı

2003

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fet Feature

Logic Level Gate

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

8

Rise Time

10ns

Drainsource On Resistancemax

0.235Ohm

Voltage Rated Dc

-30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 10V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

8A

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

2A

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

2.4nC @ 5V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

*J4

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Rds On Max Id Vgs

235m Ω @ 2A, 10V

Akım Değeri

-2A

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Obsolete

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

JESD-609 Kodu

e2