SP8J1TB

Teknik Özellikler

Montaj

Surface Mount

Turn On Delay Time

15 ns

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Fet Feature

Logic Level Gate

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yayın Yılı

2003

Drain Currentmax Abs Id

5A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Drain Current Id

5A

Fall Time Typ

40 ns

Number Of Elements

2

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Input Capacitance Ciss Max Vds

1400pF @ 10V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

-30V

Drainsource On Resistancemax

0.042Ohm

Rise Time

30ns

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

8

Temel Parça No

*J1

Terminal Formu

GULL WING

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Gate Charge Qg Max Vgs

16nC @ 5V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

8

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

2W

JESD-609 Kodu

e2