RPI-576A

Teknik Özellikler

Sensing Method

Through-Beam

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

PCB Mount

Output Configuration

Phototransistor

Forward Current

50mA

Parça Durumu

Obsolete

Ambalaj

Bulk

Algılama Mesafesi

0.197 (5mm)

Current Dc Forward If Max

50mA

Tip

Unamplified

Montaj

Through Hole

Montaj Tipi

Through Hole

Wavelength

800 nm

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Power Dissipation

80mW

Rise Time

10μs

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Çalışma Sıcaklığı

-25°C~85°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Response Time

10μs, 10μs

Currentcollector Ic Max

30mA

Yayın Yılı

2000

Fall Time Typ

10 μs

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Max Collector Current

30mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V