RPI-0226

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

80mW

Yayın Yılı

2008

Response Time

10μs

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Çıkış Tipi

Phototransistor

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Onstate Collector Currentnom

30mA

Max Collector Current

30mA

Pin Sayısı

4

Kurşunsuz Kodu

yes

Fall Time Typ

50 μs

Fonksiyon Sayısı

1

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Algılama Mesafesi

0.047 (1.2mm)

Slot Widthnom

2mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Output Configuration

Transistor

Kılıf / Paket

Module, Flat Lead, Slot Type

Forward Current

50mA

Max Breakdown Voltage

30V

Tip

Unamplified

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

JESD-609 Kodu

e1

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Çalışma Sıcaklığı

-30°C~85°C

Number Of Channels

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Power Dissipation

80mW

Rise Time

50μs