QST8TR

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

1.25W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e1

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Max

1.25W

Kurşunsuz

Lead Free

Polarity

PNP

Hfemin

270

Radyasyon Dayanımı

No

Max Breakdown Voltage

12V

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Continuous Collector Current

-1.5A

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Temel Parça No

QST

Terminal Sayısı

6

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 200mA 2V

Pin Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

1.5A

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yayın Yılı

2004

Transition Frequency

400MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 25mA, 500mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

400MHz