QST7TR

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

-30V

Max Collector Current

1.5A

Element Configuration

Single

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

370mV @ 50mA, 1A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Terminal Pozisyonu

DUAL

ECCN Kodu

EAR99

Gain Bandwidth Product

280MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Collector Base Voltage Vcbo

-30V

Collectoremitter Saturation Voltage

-200mV

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2003

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transition Frequency

280MHz

Parça Durumu

Not For New Designs

Polaritychannel Type

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Akım Değeri

-1.5A

Kurşunsuz

Lead Free

Power Max

500mW

Hfemin

270

Max Power Dissipation

500mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e1

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Terminal Sayısı

6

Temel Parça No

QST

Transistor Type

PNP

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 100mA 2V

Pin Sayısı

6

Max Breakdown Voltage

30V