QST5TR

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Continuous Collector Current

-2A

Collector Emitter Voltage Vceo

370mV

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

QST

Terminal Sayısı

6

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Type

PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 200mA 2V

Currentcollector Ic Max

2A

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

1.25W

JESD-609 Kodu

e1

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Parça Durumu

Not For New Designs

Montaj Tipi

Surface Mount

Polaritychannel Type

PNP

Hfemin

270

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yayın Yılı

2005

Transition Frequency

280MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

280MHz

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Saturation Voltage

-180mV

Collector Base Voltage Vcbo

-30V

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Contact Plating

Copper, Silver, Tin