QST3TR

Teknik Özellikler

Element Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Number Of Elements

1

Max Collector Current

5A

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Yayın Yılı

2004

Montaj

Surface Mount

Transition Frequency

200MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 40mA, 2A

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

200MHz

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Terminal Pozisyonu

DUAL

JESD-609 Kodu

e1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

1.25W

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Polaritychannel Type

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Hfemin

270

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Type

PNP

Terminal Sayısı

6

Temel Parça No

QST

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Pin Sayısı

6