QSL12TR

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Transition Frequency

320MHz

Max Collector Current

1A

Transistor Type

NPN + Diode (Isolated)

Hfemin

270

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polarity

NPN

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2005

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Element Configuration

Single

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Parça Durumu

Not For New Designs

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 100mA 2V

Vce Saturation Max Ib Ic

350mV @ 25mA, 500mA

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Kılıf / Paket

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Terminal Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

DUAL

Continuous Collector Current

1A

Collectoremitter Saturation Voltage

120mV

Pin Sayısı

5

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

500mW

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V