QS8M13TCR

Teknik Özellikler

Continuous Drain Current Id

5A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

28m Ω @ 6A, 10V

Yayın Yılı

2011

Input Capacitance Ciss Max Vds

390pF @ 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Fabrika Tedarik Süresi

52 Weeks

Current Continuous Drain Id25

6A 5A

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e2

Gate Charge Qg Max Vgs

5.5nC @ 5V

Pin Sayısı

8

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Not For New Designs

Terminal Sayısı

8

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

40ns

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Drain Currentmax Abs Id

6A

Ds Breakdown Voltagemin

30V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Drainsource On Resistancemax

0.039Ohm

Temel Parça No

*M13

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fet Feature

Logic Level Gate

Pin Sayısı

8

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

1.5W