QS8M12TCR

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

3.4nC @ 5V

Terminal Kaplaması

TIN COPPER

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

8

Parça Durumu

Not For New Designs

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e2

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Rds On Max Id Vgs

42m Ω @ 4A, 10V

Yayın Yılı

2011

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

4A

Transistor Application

SWITCHING

Input Capacitance Ciss Max Vds

250pF @ 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Pulsed Drain Currentmax Idm

12A

Fet Type

N and P-Channel

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Power Dissipation

1.5W

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Temel Parça No

*M12

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

8

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fet Feature

Logic Level Gate

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Drain Currentmax Abs Id

4A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Kurşunsuz Kodu

yes