QS8J5TR

Teknik Özellikler

Rds On Max Id Vgs

39m Ω @ 5A, 10V

Yayın Yılı

2014

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

5A

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Input Capacitance Ciss Max Vds

1100pF @ 10V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Turn On Delay Time

9 ns

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e2

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

19nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Not For New Designs

Terminal Sayısı

8

Rise Time

40ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

5A

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Drainsource On Resistancemax

0.039Ohm

Fall Time Typ

55 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Channels

2

Pin Sayısı

8

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fet Feature

Logic Level Gate

Max Power Dissipation

600mW

Transistor Element Material

SILICON

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Vgsth Max Id

2.5V @ 1mA