QS8J13TR

Teknik Özellikler

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Fet Feature

Logic Level Gate

Drain To Source Voltage Vdss

12V

Pin Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Ds Breakdown Voltagemin

12V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Direnç

15mOhm

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Montaj

Surface Mount

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

1.25W

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Continuous Drain Current Id

5.5A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 5.5A, 4.5V

Yayın Yılı

2014

Input Capacitance Ciss Max Vds

6300pF @ 6V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Gate Charge Qg Max Vgs

60nC @ 4.5V

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Sayısı

8

Parça Durumu

Active

Montaj Tipi

Surface Mount

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Power Max

1.25W

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Number Of Elements

2