QS6J1TR

Teknik Özellikler

Transistor Application

SWITCHING

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Threshold Voltage

-2V

Input Capacitance Ciss Max Vds

270pF @ 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Max Power Dissipation

1.25W

JESD-609 Kodu

e1

Number Of Elements

2

Terminal Formu

GULL WING

Fall Time Typ

12 ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Drain Current Id

1.5A

Yayın Yılı

2003

Turn Off Delay Time

45 ns

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

215m Ω @ 1.5A, 4.5V

Akım Değeri

-1.5A

Voltage Rated Dc

-20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Radyasyon Dayanımı

No

Rise Time

12ns

Parça Durumu

Not For New Designs

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Direnç

340MOhm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

1.25W

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Pin Sayısı

5

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

*J1

Vgsth Max Id

2V @ 1mA