QS6J11TR

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Temel Parça No

*J11

Vgsth Max Id

1V @ 1mA

Terminal Formu

GULL WING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Max Power Dissipation

600mW

JESD-609 Kodu

e1

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

8

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Channels

2

Input Capacitance Ciss Max Vds

770pF @ 6V

Fet Feature

Logic Level Gate

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

ECCN Kodu

EAR99

Rise Time

17ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Rds On Max Id Vgs

105m Ω @ 2A, 4.5V

Drainsource On Resistancemax

0.105Ohm

Drain To Source Voltage Vdss

12V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn Off Delay Time

65 ns

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Element Configuration

Dual

Gate To Source Voltage Vgs

10V

Fall Time Typ

35 ns

Continuous Drain Current Id

2A