IMZ1AT108

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN, PNP

Power Dissipation

300mW

Transition Frequency

180MHz

JESD-609 Kodu

e3/e2

HTS Kodu

8541.21.00.75

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Montaj Tipi

Surface Mount

Yayın Yılı

1997

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Parça Durumu

Active

Continuous Collector Current

-150mA

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Akım Değeri

150mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Vcesatmax

0.4 V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

TIN/TIN COPPER

Max Power Dissipation

300mW

Transistor Application

AMPLIFIER

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

6

Max Frequency

100MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Temel Parça No

*MZ1

Frequency Transition

180MHz 140MHz

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Polarity

NPN, PNP