IMX9T110

Teknik Özellikler

Element Configuration

Dual

Polarity

NPN

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Hfemin

560

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Max Collector Current

500mA

Gain Bandwidth Product

350MHz

Max Breakdown Voltage

20V

Emitter Base Voltage Vebo

12V

Voltage Rated Dc

20V

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Base Voltage Vcbo

25V

Terminal Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 20mA, 500mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Saturation Voltage

180mV

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Temel Parça No

*MX9

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Parça Durumu

Not For New Designs

Continuous Collector Current

500mA

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Akım Değeri

500mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Vcesatmax

0.4 V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

560 @ 10mA 3V

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

300mW

Transistor Application

AMPLIFIER

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Transition Frequency

350MHz

JESD-609 Kodu

e1