IMX3T108

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e1

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Transistor Application

AMPLIFIER

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Max Power Dissipation

300mW

Kurşunsuz

Lead Free

Max Collector Current

150mA

Vcesatmax

0.4 V

Pin Sayısı

6

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Parça Durumu

Not For New Designs

Akım Değeri

150mA

Montaj

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Voltage Rated Dc

50V

Transition Frequency

180MHz

Polarity

NPN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Continuous Collector Current

150mA

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation

300mW

Temel Parça No

*MX3

Hfemin

120

Pin Sayısı

6