IMX2T108

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Continuous Collector Current

150mA

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Polarity

NPN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Application

AMPLIFIER

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Transition Frequency

180MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

JESD-609 Kodu

e1

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Max Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

2004

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Parça Durumu

Not For New Designs

Gain Bandwidth Product

180MHz

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Akım Değeri

150mA

Montaj

Surface Mount

Collector Base Voltage Vcbo

60V

HTS Kodu

8541.21.00.75

Number Of Elements

2

Max Collector Current

150mA

Vcesatmax

0.4 V

Pin Sayısı

74

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant