Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Continuous Collector Current
- 150mA
- Terminal Sayısı
- 6
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Dc Current Gainmin Hfe
- 120
- Polarity
- NPN
- Terminal Formu
- GULL WING
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Transition Frequency
- 180MHz
- Element Configuration
- Single
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- TIN SILVER COPPER
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 400mV
- Radyasyon Dayanımı
- No
- JESD-609 Kodu
- e1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Yayın Yılı
- 2001
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Gain Bandwidth Product
- 180MHz
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7V
- Montaj
- Surface Mount
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55°C
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Number Of Elements
- 2
- Max Collector Current
- 150mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 6
- Vcesatmax
- 0.4 V
- Max Power Dissipation
- 300mW
- Kılıf / Paket
- SMD/SMT
- Hfemin
- 120
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors