IMX17T108

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

1998

Gain Bandwidth Product

250MHz

Parça Durumu

Not For New Designs

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Montaj

Surface Mount

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Number Of Elements

2

Power Max

300mW

Max Collector Current

500mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

300mW

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Hfemin

120

Temel Parça No

MX17

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Polarity

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Transistor Application

AMPLIFIER

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 100mA 3V

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV