IMT3AT108

Teknik Özellikler

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

AMPLIFIER

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e1

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Terminal

SMD/SMT

Parça Durumu

Not For New Designs

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Akım Değeri

-150mA

Montaj

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

300mW

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Max Collector Current

150mA

Pin Sayısı

6

Vcesatmax

0.5 V

Polarity

PNP

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Radyasyon Dayanımı

No

Frekans

140MHz

Voltage Rated Dc

-50V

Transition Frequency

140MHz

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gain Bandwidth Product

140MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Max Breakdown Voltage

50V