IMT2AT108

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2004

Max Breakdown Voltage

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Parça Durumu

Not For New Designs

Gain Bandwidth Product

140MHz

Akım Değeri

-150mA

Montaj

Surface Mount

Max Collector Current

150mA

Vcesatmax

0.5 V

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collector Base Voltage Vcbo

-60V

HTS Kodu

8541.21.00.75

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Number Of Elements

2

Power Dissipation

300mW

Hfemin

120

Temel Parça No

MT2

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

300mW

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

6

Transistor Element Material

SILICON

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Polarity

PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Application

AMPLIFIER

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

2 PNP (Dual)