IMT1AT108

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Transistor Application

AMPLIFIER

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Polarity

PNP

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Transition Frequency

140MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

JESD-609 Kodu

e1

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Yayın Yılı

2008

Max Breakdown Voltage

50V

Montaj

Surface Mount

Gain Bandwidth Product

140MHz

Parça Durumu

Not For New Designs

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Power Max

300mW

Number Of Elements

2

HTS Kodu

8541.21.00.75

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

-60V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vcesatmax

0.5 V

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

150mA

Max Power Dissipation

300mW