IMH9AT110

Teknik Özellikler

Max Collector Current

100mA

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Polarity

NPN

Vcesatmax

0.3 V

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Collector Cutoff Max

500nA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Frequency Transition

250MHz

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Voltage Rated Dc

50V

Montaj

Surface Mount

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Max Power Dissipation

300mW

Continuous Collector Current

100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Akım Değeri

70mA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

JESD-609 Kodu

e1

Temel Parça No

*MH9

Hfemin

68

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Yayın Yılı

2004

Power Dissipation

300mW