IMH2AT110

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Surface Mount

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Voltage Rated Dc

50V

Max Power Dissipation

300mW

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Continuous Collector Current

100mA

Max Collector Current

100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Reach Svhc

No SVHC

Montaj Tipi

Surface Mount

Polarity

NPN

Vcesatmax

0.3 V

Frequency Transition

250MHz

Current Collector Cutoff Max

500nA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Power Dissipation

300mW

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Yayın Yılı

2005

Max Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

47k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

HTS Kodu

8541.21.00.75

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1