IMH10AT110

Teknik Özellikler

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Yayın Yılı

2000

Power Dissipation

150mW

Resistor Base R1

2.2k Ω

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Max Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

HTS Kodu

8541.21.00.75

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Operating Supply Voltage

50V

Max Output Current

100mA

Akım Değeri

100mA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz

Lead Free

JESD-609 Kodu

e1

Hfemin

80

Temel Parça No

*MH10

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Dual

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Not For New Designs

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Voltage Rated Dc

50V

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Montaj

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Continuous Collector Current

100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA