IMD8AT108

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Dual

Hfemin

100

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e1

Terminal Formu

GULL WING

Vcesatmax

0.3 V

Polarity

NPN, PNP

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Additional Feature

DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR

Max Collector Current

100mA

Akım Değeri

100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 5mA

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

HTS Kodu

8541.21.00.75

Terminal Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Power Dissipation

300mW

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Resistor Base R1

47k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Not For New Designs

Yayın Yılı

1999

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Transistor Element Material

SILICON