IMD6AT108

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Montaj

Surface Mount

Max Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

300mW

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2004

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

6

HTS Kodu

8541.21.00.75

Continuous Collector Current

100mA

Terminal Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Power Dissipation

300mW

Kılıf / Paket

SMD/SMT

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Dc Current Gainmin Hfe

100

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Max Collector Current

100mA

Operating Supply Voltage

50V

Akım Değeri

100mA

Max Output Current

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Element Configuration

Dual

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Hfemin

100

Emitter Base Voltage Vebo

5V

JESD-609 Kodu

e1

Reach Svhc

No SVHC