IMD1AT108

Teknik Özellikler

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Resistor Base R1

22k Ω

Montaj

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Not For New Designs

Yayın Yılı

1998

Transition Frequency

250MHz

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

HTS Kodu

8541.21.00.75

Pin Sayısı

6

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 5mA

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

300mW

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

6

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Akım Değeri

100mA

Max Output Current

100mA

Operating Supply Voltage

50V

Max Collector Current

100mA

Additional Feature

DIGITAL

Hfemin

100

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Frequency Transition

250MHz

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kurşunsuz

Lead Free

Vcesatmax

0.3 V

Polarity

NPN, PNP