IMD16AT108

Teknik Özellikler

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Montaj

Surface Mount

Voltage Rated Dc

50V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V / 82 @ 50mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100μA, 1mA

Continuous Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

300mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Collector Current

500mA

Uzunluk

2.9mm

Frequency Transition

250MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Montaj Tipi

Surface Mount

Reach Svhc

No SVHC

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV

Polarity

NPN, PNP

Pin Sayısı

6

Max Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Resistor Base R1

100k Ω, 2.2k Ω

Power Dissipation

300mW

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Transition Frequency

250MHz

Yayın Yılı

2005

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

1.6mm