IMB7AT108

Teknik Özellikler

Additional Feature

DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 250μA, 5mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vcesatmax

0.3 V

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

JESD-609 Kodu

e2

Resistor Base R1

4.7k Ω

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

300mW

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Parça Durumu

Not For New Designs

Element Configuration

Dual

Polarity

PNP

HTS Kodu

8541.21.00.95

Terminal Formu

GULL WING

Hfemin

100

Kılıf / Paket

SOT-457

ECCN Kodu

EAR99

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 1mA 5V

Terminal Kaplaması

Tin/Copper (Sn/Cu)

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2004

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Max Collector Current

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Number Of Elements

2