IMB3AT110

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

JESD-609 Kodu

e1

Vcesatmax

0.3 V

Max Power Dissipation

300mW

Resistor Base R1

4.7k Ω

Pin Sayısı

6

Polarity

PNP

Element Configuration

Dual

Parça Durumu

Active

Operating Supply Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Power Dissipation

300mW

Terminal Formu

GULL WING

HTS Kodu

8541.21.00.75

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Montaj

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

Voltage Rated Dc

-50V

Temel Parça No

MB3

Kurşunsuz Kodu

yes

Continuous Collector Current

-100mA

Frequency Transition

250MHz

Kurşunsuz

Lead Free

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 2.5mA, 5mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Akım Değeri

-100mA

Max Output Current

100mA

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Hfemin

100

Emitter Base Voltage Vebo

-5V