IMB1AT110

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e1

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Vcesatmax

0.3 V

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Polarity

PNP

Element Configuration

Dual

Akım Değeri

-100mA

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Parça Durumu

Not For New Designs

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Max Power Dissipation

300mW

Fabrika Tedarik Süresi

7 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount

Resistor Base R1

22k Ω

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 5mA 5V

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Terminal Formu

GULL WING

Hfemin

56

HTS Kodu

8541.21.00.75

Number Of Elements

2

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Max Collector Current

100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

2001

Current Collector Cutoff Max

500nA