EMZ7T2R

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Yükseklik

550μm

Parça Durumu

Active

Max Junction Temperature Tj

150°C

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Base Voltage Vcbo

15V

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Collector Emitter Voltage Vceo

12V

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

270 @ 10mA 2V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Breakdown Voltage

12V

Continuous Collector Current

500mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Gain Bandwidth Product

260MHz

Transition Frequency

320MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Temel Parça No

*MZ7

Max Collector Current

500mA

Yayın Yılı

2012

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Hfemin

270

JESD-609 Kodu

e2

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Terminal Formu

FLAT

Power Dissipation

150mW

Max Power Dissipation

150mW

Polarity

NPN, PNP

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Max Breakdown Voltage

12V

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN, PNP

Akım Değeri

500mA