Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2015
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA
- Terminal Formu
- FLAT
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Power Max
- 150mW
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Transistor Application
- SWITCHING
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Frequency Transition
- 350MHz 300MHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-F6
- ECCN Kodu
- EAR99
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Terminal Sayısı
- 6
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Transistor Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 2
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 6V
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Transition Frequency
- 350MHz
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors