EMZ52T2R

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2015

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA

Terminal Formu

FLAT

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Power Max

150mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN, PNP

Frequency Transition

350MHz 300MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Terminal Sayısı

6

Currentcollector Ic Max

100mA

Yüzey Montaj

YES

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transition Frequency

350MHz