EMZ51T2R

Teknik Özellikler

Frequency Transition

400MHz 350MHz

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN, PNP

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Terminal Formu

FLAT

Max Power Dissipation

150mW

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Montaj

Surface Mount

Max Breakdown Voltage

20V

Power Max

150mW

Max Collector Current

200mA

Yayın Yılı

2016

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transition Frequency

400MHz

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

300mV

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Terminal Sayısı

6